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FDP61N20 發(fā)布時間 時間�2024/8/23 14:26:28 查看 閱讀�389

UniFET?N通道MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor
  UniFET?MOSFET是Fairchild Semiconductor的高電壓MOSFET系列。它平面MOSFET中具有最小通態(tài)電阻,還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強�。此�,內部柵�-源極ESD二極管讓UniFET-II?MOSFET可以耐受超過2000V HBM浪涌應力�
  UniFET?MOSFET適用于開關電源轉換器應用,如功率因數(shù)校正(PFC)、平板顯示屏(FPD)電視電源、ATX(先進技術擴展)和電子燈�(zhèn)流器�

技術參�(shù)

針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.034Ω
  耗散功率�417 W
  閾值電壓:5 V
  漏源極電�(Vds)�200 V
  上升時間�215 ns
  輸入電容(Ciss)�2615pF 25V(Vds)
  額定功率(Max)�417 W
  下降時間�70 ns
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�417 W

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-220-3

外形尺寸

長度�10.67 mm
  寬度�4.83 mm
  高度�9.4 mm
  封裝:TO-220-3

其他

產品生命周期:Active
  包裝方式:Rail,Tube
  制造應用:照明,電源管理
  含鉛標準:Lead Free

fdp61n20推薦供應� 更多>

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fdp61n20參數(shù)

  • 標準包裝400
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列UniFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C61A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C41 毫歐 @ 30.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs75nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3380pF @ 25V
  • 功率 - 最�417W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220
  • 包裝管件