FDP52N20是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor的一部分)制�。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)��
該MOSFET采用TO-220封裝形式,具備較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,同�(shí)能夠承受高達(dá)200V的漏源極電壓。這些特性使得FDP52N20在高效率和高可靠性的功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.34Ω(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷�38nC(典型值)
總功耗:125W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
FDP52N20具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)降低了傳�(dǎo)損�,提高了系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能量能力增�(qiáng)了器件的魯棒性,使其能夠承受短時(shí)間內(nèi)的過(guò)壓情��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損�,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用�
4. TO-220封裝提供了良好的散熱性能,便于在高功率場(chǎng)景下使用�
5. 寬工作溫度范圍確保了器件在極端環(huán)境下的可靠��
FDP52N20適用于多種功率電子應(yīng)用,包括但不限于�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. 電池充電器和逆變器中的功率管理組��
5. 各種工業(yè)控制和汽�(chē)電子中的功率切換模塊�
IRF540N
STAO3400