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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDP52N20

FDP52N20 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 20:45:07 查看 閱讀�29

FDP52N20是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor的一部分)制�。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)��
  該MOSFET采用TO-220封裝形式,具備較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,同�(shí)能夠承受高達(dá)200V的漏源極電壓。這些特性使得FDP52N20在高效率和高可靠性的功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�16A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.34Ω(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�38nC(典型值)
  總功耗:125W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-220

特�

FDP52N20具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)降低了傳�(dǎo)損�,提高了系統(tǒng)效率�
  2. 高雪崩能量能力增�(qiáng)了器件的魯棒性,使其能夠承受短時(shí)間內(nèi)的過(guò)壓情��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損�,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用�
  4. TO-220封裝提供了良好的散熱性能,便于在高功率場(chǎng)景下使用�
  5. 寬工作溫度范圍確保了器件在極端環(huán)境下的可靠��

�(yīng)�

FDP52N20適用于多種功率電子應(yīng)用,包括但不限于�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  4. 電池充電器和逆變器中的功率管理組��
  5. 各種工業(yè)控制和汽�(chē)電子中的功率切換模塊�

替代型號(hào)

IRF540N
  STAO3400

fdp52n20推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

fdp52n20資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdp52n20參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UniFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C52A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C49 毫歐 @ 26A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
  • 功率 - 最�357W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件