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FDN5618P 發(fā)布時間 時間�2024/3/11 17:14:33 查看 閱讀�375

FDN5618P是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它是一種低電壓�(qū)動的MOSFET,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,適用于各種低功耗應(yīng)��
  FDN5618P的主要特點包括:
  1、低�(dǎo)通電阻:FDN5618P具有低導(dǎo)通電�,可以在低電壓下提供較大的電��
  2、快速開�(guān)速度:由于其�(nèi)部結(jié)�(gòu)的優(yōu)化設(shè)�,F(xiàn)DN5618P具有快速的開關(guān)速度,可以在短時間內(nèi)完成通斷操作�
  3、低電壓�(qū)動:FDN5618P適用于低電壓�(qū)動的�(yīng)�,可在較低的電壓下實�(xiàn)高性能的開�(guān)控制�
  4、小封裝:FDN5618P采用小型封裝,占用較小的空間,適用于緊湊型設(shè)��
  5、高溫穩(wěn)定性:FDN5618P具有較好的高溫穩(wěn)定�,可以在高溫�(huán)境下工作�

參數(shù)指標(biāo)

1、導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):FDN5618P的導(dǎo)通電阻是其重要的性能指標(biāo)之一,它決定了MOSFET在導(dǎo)通狀�(tài)下的功率損�。通常以歐姆(Ω)為單位表示�
  2、閾值電壓(VTH):FDN5618P的閾值電壓是指當(dāng)柵極電壓達到一定值時,MOSFET開始�(dǎo)通的電壓�
  3、最大漏極電流(ID(MAX)):FDN5618P能夠承受的最大漏極電流�
  4、最大漏�-源極電壓(VDS(MAX)):FDN5618P能夠承受的最大漏�-源極電壓�

組成�(jié)�(gòu)

FDN5618P的組成結(jié)�(gòu)主要包括漏極(Drain�、源極(Source)和柵極(Gate)。其�,漏極和源極是MOSFET的兩個電�,柵極則用于控制MOSFET的導(dǎo)通與截止�

工作原理

FDN5618P的工作原理基于MOSFET的場效應(yīng)。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時,MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài),導(dǎo)電能力非常小。而當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時,MOSFET處于�(dǎo)通狀�(tài),可以通過漏極和源極之間傳�(dǎo)電流�

技�(shù)要點

1、優(yōu)化設(shè)計:FDN5618P的性能取決于其�(nèi)部結(jié)�(gòu)的優(yōu)化設(shè)計,包括材料選擇、工藝參�(shù)等方��
  2、封裝方式:FDN5618P采用特定的封裝方式,以保證其在實際應(yīng)用中的可靠性和�(wěn)定��
  3、器件參�(shù)選擇:在�(shè)計中,需要根�(jù)具體�(yīng)用要求選擇合適的器件參數(shù),如�(dǎo)通電阻、閾值電壓等,以滿足�(shè)計需��

�(shè)計流�

1、確定應(yīng)用需求:根據(jù)具體�(yīng)用需求,確定所需的MOSFET性能指標(biāo)�
  2、選擇合適的器件:根�(jù)�(yīng)用需求和性能指標(biāo),從市場上選擇合適的FDN5618P器件�
  3、電路設(shè)計:根據(jù)具體�(yīng)�,設(shè)計相�(yīng)的電�,包括MOSFET的驅(qū)動電路和保護電路等�
  4、電路仿真與�(yōu)化:利用電路仿真軟件進行電路仿真與優(yōu)�,以確保�(shè)計的性能和穩(wěn)定性�
  5、印制電路板�(shè)計:根據(jù)電路�(shè)計結(jié)�,進行印制電路板的�(shè)�,包括布�、元件焊接等�
  6、制造與測試:進行印制電路板的制造和測試,確保電路的正常工作�

注意事項

1、選型準(zhǔn)確:選型時需要準(zhǔn)確了解應(yīng)用需�,并根據(jù)需求選擇合適的器件,以避免不必要的損失和浪��
  2、使用限制:在使用過程中,需要遵守器件的使用限制,如最大電�、最大電流等,以保證器件的正常工作和使用壽命�
  3、散熱設(shè)計:對于高功率應(yīng)�,需要進行合理的散熱設(shè)�,以確保器件的溫度在可接受范圍內(nèi)�

�(fā)展歷�

FDN5618P是一種N溝道增強型MOSFET,由Fairchild Semiconductor公司開發(fā)。MOSFET是一種常用的電子器件,用于控制電流流�。它由一個金屬柵�、一個絕緣層和一個半�(dǎo)體層組成�
  MOSFET的發(fā)展可以追溯到20世紀(jì)60年代。當(dāng)�,晶體管已經(jīng)成為電子�(shè)備中的關(guān)鍵組件,但它們在功耗和速度方面存在一些限�。為了克服這些限制,研究人員開始探索新的器件結(jié)�(gòu)�
  1960年代末至1970年代�,MOSFET的發(fā)展取得了重大突破。研究人員發(fā)�(xiàn),通過引入一個絕緣層,可以有效地控制電流流動。這種�(jié)�(gòu)被稱為MOS�(jié)�(gòu),成為后來MOSFET的基�(chǔ)�
  隨著技�(shù)的進步,研究人員開始關(guān)注如何提高MOSFET的性能。特別是�20世紀(jì)80年代,隨著半�(dǎo)體工藝的改�,MOSFET的尺寸逐漸縮小。這種尺寸縮小使得MOSFET的開�(guān)速度更快,功耗更��
  �20世紀(jì)90年代,MOSFET的研究重點轉(zhuǎn)向了提高器件的可靠性和集成�。研究人員開始研究新的材料和工藝,以提高MOSFET的性能。其�,N溝道增強型MOSFET是一種常見的�(jié)�(gòu),它具有較低的閾值電壓和較高的開�(guān)速度�
  FDN5618P作為一種N溝道增強型MOSFET,具有以下特點:
  1、低閾值電壓:FDN5618P具有較低的閾值電�,可以在較低的電壓下進行開關(guān)操作�
  2、高電流能力:FDN5618P具有較高的電流能力,可以承受較大的電流負(fù)��
  3、快速開�(guān)速度:由于采用N溝道增強型結(jié)�(gòu),F(xiàn)DN5618P具有較快的開�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)��
  4、低功耗:FDN5618P具有較低的功�,可以節(jié)省能源�
  5、高可靠性:FDN5618P采用先進的工藝和材料,具有較高的可靠性和�(wěn)定��

fdn5618p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdn5618p資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdn5618p參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C170 毫歐 @ 1.25A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs13.8nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds430pF @ 30V
  • 功率 - 最�460mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�3-SSOT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDN5618PTR