FDN371N-NL 時(shí)間：2025/5/22 23:30:17 閱讀：9

FDN371N-NL是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)為ON Semiconductor）生產(chǎn)。該器件采用SOT-23封裝形式，適用于低電壓和低功耗應(yīng)用場(chǎng)合。其主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度以及出色的電流承載能力。這款MOSFET通常被用于便攜式設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及其他需要高效功率控制的應(yīng)用中。
　　FDN371N-NL具有較低的柵極電荷和輸入電容，可以實(shí)現(xiàn)更高的工作效率，并且由于其小尺寸封裝，在設(shè)計(jì)緊湊型電路時(shí)非常理想。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大柵源電壓：±8V
　　連續(xù)漏極電流：490mA
　　脈沖漏極電流：1.5A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.8Ω（在Vgs=4.5V時(shí)）
　　柵極電荷：3nC
　　總電容：11pF
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃

特性

1. 小型SOT-23封裝，適合空間受限的應(yīng)用。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于降低功率損耗并提高效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能，可滿足高頻工作的需求。
　　4. 高電流密度設(shè)計(jì)，能夠在有限的空間內(nèi)提供較大的電流輸出。
　　5. 熱穩(wěn)定性良好，能夠承受較寬的工作溫度范圍。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛制造工藝。

應(yīng)用

1. 手機(jī)和其他便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　2. 電池供電系統(tǒng)的保護(hù)電路。
　　3. LED驅(qū)動(dòng)器及小型DC-DC轉(zhuǎn)換器。
　　4. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號(hào)切換。
　　5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
　　6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理單元。