FDN357N是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)的產(chǎn)品系列。該器件通常用于開關(guān)和放大應(yīng)用,其設(shè)計旨在提供低導(dǎo)通電阻和高效率的性能。這種MOSFET適用于廣泛的電子設(shè)備中,例如電源管理電路、負載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等。
FDN357N采用小型化的SOT-23封裝形式,這使其非常適合于對空間要求嚴格的便攜式電子產(chǎn)品。
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
持續(xù)漏極電流:380mA
導(dǎo)通電阻:1.6Ω(在Vgs=4.5V時)
總功耗:320mW
結(jié)溫范圍:-55℃至150℃
FDN357N的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠在低電壓條件下實現(xiàn)高效的功率傳輸。
2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場合。
3. 小型SOT-23封裝,有助于節(jié)省PCB空間并簡化設(shè)計布局。
4. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,確保在較寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。
這些特點使得FDN357N成為消費類電子產(chǎn)品、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域中的理想選擇。
FDN357N廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和降壓轉(zhuǎn)換。
2. 負載開關(guān),在移動設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品中起到保護和管理功能。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于調(diào)節(jié)和穩(wěn)定輸出電壓。
4. 電池管理系統(tǒng)的充電和放電路徑控制。
5. 各種保護電路,如過流保護、短路保護等。
由于其出色的電氣特性和緊湊的設(shè)計,F(xiàn)DN357N在需要高效能與小體積結(jié)合的應(yīng)用場景下表現(xiàn)優(yōu)異。
FDN357P, FDN358N