FDN357N-NL是一種N溝道增強型功率MOSFET,采用SOT-23封裝形式。它具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于各種需要高效能、小體積的應用場景。該器件廣泛應用于消費類電子�(chǎn)�、通信�(shè)備以及便攜式�(shè)備中的負載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動電路等�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏極電流�0.48A
導通電阻(Rds(on)):0.65Ω(在Vgs=4.5V時)
總功耗:340mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
FDN357N-NL具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電�,在相同封裝下提供更高效的性能�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應用場��
3. 小型SOT-23封裝,適合空間受限的�(shè)計�
4. 靜電防護能力較強,提升了器件的可靠性和耐用��
5. 寬工作溫度范圍,能夠在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運��
該MOSFET主要應用于以下領(lǐng)域:
1. 手機和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及電池管理模塊�
3. 小功率電機驅(qū)動和保護電路�
4. 各種低壓電源管理和信號切換場��
5. 消費類電子產(chǎn)品的電源控制單元�
FDN340N, BSS138, SI2302DS