FDN355A-NL 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為 ON Semiconductor)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高電流處理能力,廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載切換和信號調(diào)節(jié)等電路中。
該 MOSFET 的封裝形式為 SOT-23,適合表面貼裝工藝,能夠節(jié)省空間并提高組裝效率。其設(shè)計注重高效能和可靠性,在便攜式設(shè)備、消費類電子產(chǎn)品和其他低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏極電流:480mA
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6Ω(典型值,Vgs=4.5V)
總功耗:360mW
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
FDN355A-NL 具有以下特點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)特性,支持高頻操作。
3. 高靜電放電 (ESD) 耐受能力,增強(qiáng)器件的穩(wěn)健性。
4. 小巧的 SOT-23 封裝,便于在緊湊型設(shè)計中使用。
5. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種環(huán)境條件。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
這款 MOSFET 常用于以下領(lǐng)域:
1. 移動設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
2. 電池供電設(shè)備的電源管理。
3. 數(shù)據(jù)通信接口保護(hù)。
4. 熱插拔電路控制。
5. 低噪聲放大器的開關(guān)功能。
6. 各種消費類電子產(chǎn)品的信號路徑調(diào)節(jié)。
7. 小功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。
FDN355AN, FDN340AN