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FDN355A-NL 發(fā)布時間 時間:2025/5/21 20:51:12 查看 閱讀:5

FDN355A-NL 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為 ON Semiconductor)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高電流處理能力,廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載切換和信號調(diào)節(jié)等電路中。
  該 MOSFET 的封裝形式為 SOT-23,適合表面貼裝工藝,能夠節(jié)省空間并提高組裝效率。其設(shè)計注重高效能和可靠性,在便攜式設(shè)備、消費類電子產(chǎn)品和其他低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±12V
  連續(xù)漏極電流:480mA
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6Ω(典型值,Vgs=4.5V)
  總功耗:360mW
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C

特性

FDN355A-NL 具有以下特點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)特性,支持高頻操作。
  3. 高靜電放電 (ESD) 耐受能力,增強(qiáng)器件的穩(wěn)健性。
  4. 小巧的 SOT-23 封裝,便于在緊湊型設(shè)計中使用。
  5. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種環(huán)境條件。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。

應(yīng)用

這款 MOSFET 常用于以下領(lǐng)域:
  1. 移動設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
  2. 電池供電設(shè)備的電源管理。
  3. 數(shù)據(jù)通信接口保護(hù)。
  4. 熱插拔電路控制。
  5. 低噪聲放大器的開關(guān)功能。
  6. 各種消費類電子產(chǎn)品的信號路徑調(diào)節(jié)。
  7. 小功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。

替代型號

FDN355AN, FDN340AN

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