FDN308P 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用小型化� SOT-23 封裝形式。該器件廣泛�(yīng)用于各種低電�、小信號和負(fù)載開�(guān)電路中,具有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速的開關(guān)速度,非常適合便攜式�(shè)備和其他對空間和效率有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場景�
FDN308P 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高效且可靠的功率控制性能,在消費(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏極電流�160mA
脈沖漏極電流�1.2A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5Ω(典型值,Vgs=10V時)
功耗:410mW
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
FDN308P 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 高靜電防�(hù)能力(HBM � 2000V�,能夠有效保�(hù)器件免受靜電損害�
4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)��
5. 小巧� SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝生�(chǎn)�
FDN308P 常用于以下應(yīng)用場景:
1. 電池供電的便攜式�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模��
3. 工業(yè)控制系統(tǒng)的低�(cè)開關(guān)�
4. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切��
5. LED �(qū)動器中的功率控制元件�
6. 各種需要小型化和高效率的電子電路中�
BSS138
AO3400
2SK3175