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FDMS7650 發(fā)布時間 時間�2022/10/8 15:15:05 查看 閱讀�1119

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7650  晶體�, MOSFET, N溝道, 60 A, 30 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.9 V


概述

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7650  晶體�, MOSFET, N溝道, 60 A, 30 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.9 V

    PowerTrench  N 通道 MOSFET,超� 60A,F(xiàn)airchild Semiconductor


參數(shù)

    通道�(shù)�

    針腳�(shù)�

    漏源極電阻:0.0008 Ω

    極性:N-Channel

    耗散功率�104 W

    閾值電壓:1.9 V

    漏源極電�(Vds)�30 V

    漏源擊穿電壓�30 V

    連續(xù)漏極電流(Ids)�60.0 A

    上升時間�24 ns

    輸入電容(Ciss)�14965pF @15V(Vds)

    額定功率(Max)�2.5 W

    下降時間�21 ns

    工作溫度(Max)�150 �

    工作溫度(Min)�-55 �

    耗散功率(Max)�2.5W (Ta), 104W (Tc)

    安裝方式:Surface Mount

    引腳�(shù)�

    封裝:Power-56-8

    長度�5 mm

    寬度�6 mm

    高度�1.05 mm

    工作溫度�-55� ~ 150� (TJ)


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fdms7650參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C36A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C990 毫歐 @ 36A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs209nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds14965pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-PQFN�5X6�,Power56
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDMS7650-NDFDMS7650TR