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FDMC86262P 發(fā)布時間 時間:2025/4/28 18:08:35 查看 閱讀:34

FDMC86262P 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,屬于 Fairchild(現(xiàn)為 ON Semiconductor)公司的產(chǎn)品線。該器件采用 N 溝道增強(qiáng)型技術(shù),適用于高頻開關(guān)應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換電路。其封裝形式為 DPAK(TO-252),能夠提供高效的功率處理能力和較低的導(dǎo)通電阻,非常適合用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等場景。
  這款 MOSFET 的主要特點是具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下減少功率損耗,同時具備快速的開關(guān)速度以適應(yīng)高頻工作環(huán)境。此外,它還支持較高的連續(xù)漏極電流,有助于提高系統(tǒng)的整體效率。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:43A
  脈沖漏極電流:130A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.6mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  柵極電荷:74nC
  總電容:1390pF
  開關(guān)時間:ton=10ns, toff=19ns

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在大電流條件下顯著降低功耗。
  2. 快速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 高電流承載能力,支持高達(dá) 43A 的連續(xù)漏極電流。
  4. 小型化封裝設(shè)計(DPAK),便于在緊湊型電路中使用。
  5. 良好的熱性能,有助于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
  6. 支持寬范圍的工作溫度(-55°C 至 +150°C),適合各種工業(yè)及汽車級應(yīng)用。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率控制元件。
  4. 負(fù)載開關(guān)及保護(hù)電路。
  5. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率管理單元。
  6. 汽車電子設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。

替代型號

IRLB8748PBF, FDP5500P, AO6402

fdmc86262p推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
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  • 封裝/批號
  • 詢價

fdmc86262p參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量611現(xiàn)貨
  • 價格1 : ¥10.26000剪切帶(CT)3,000 : ¥4.35215卷帶(TR)
  • 系列PowerTrench?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)150 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)2A(Ta),8.4A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)307 毫歐 @ 2A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)13 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)885 pF @ 75 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.3W(Ta),40W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝8-MLP(3.3x3.3)
  • 封裝/外殼8-PowerWDFN