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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FDMC86102L

FDMC86102L 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 16:44:18 查看 閱讀�26

FDMC86102L是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先進的制程技術制�,適用于各種需要高效能開關和低導通電阻的應用場景。該器件具有出色的熱�(wěn)定性和可靠�,廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制以及通信設備等領��
  其封裝形式為SOT-23,體積小巧,便于在高密度電路板上使用,同時具備良好的散熱性能�

參數

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�2.4A
  導通電阻(典型值)�70mΩ
  柵極閾值電壓:1.2V~2.5V
  功耗:0.43W
  工作溫度范圍�-55℃~150�

特�

FDMC86102L的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,在大電流條件下能夠顯著降低功率損��
  2. 快速開關速度,適合高頻應用場��
  3. 高度集成的小型封裝設�,節(jié)省PCB空間�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內保持性能一致��
  5. �(yōu)異的抗靜電能�,提高了器件的可靠性和耐用��

應用

該器件適用于以下應用場景�
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC轉換器的核心開關元件�
  3. 電池保護電路中的負載開關�
  4. 消費類電子產品如智能手機和平板電腦的電源管理模塊�
  5. 各種便攜式設備中的信號切換和功率調節(jié)功能�

替代型號

FDMC86101L, FDMC86103L

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fdmc86102l參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫歐 @ 7A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1330pF @ 50V
  • 功率 - 最�2.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerWDFN
  • 供應商設備封�8-MLP�3.3x3.3�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDMC86102L-NDFDMC86102LFSTR