FDMC86102L是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先進的制程技術制�,適用于各種需要高效能開關和低導通電阻的應用場景。該器件具有出色的熱�(wěn)定性和可靠�,廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制以及通信設備等領��
其封裝形式為SOT-23,體積小巧,便于在高密度電路板上使用,同時具備良好的散熱性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.4A
導通電阻(典型值)�70mΩ
柵極閾值電壓:1.2V~2.5V
功耗:0.43W
工作溫度范圍�-55℃~150�
FDMC86102L的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,在大電流條件下能夠顯著降低功率損��
2. 快速開關速度,適合高頻應用場��
3. 高度集成的小型封裝設�,節(jié)省PCB空間�
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內保持性能一致��
5. �(yōu)異的抗靜電能�,提高了器件的可靠性和耐用��
該器件適用于以下應用場景�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC轉換器的核心開關元件�
3. 電池保護電路中的負載開關�
4. 消費類電子產品如智能手機和平板電腦的電源管理模塊�
5. 各種便攜式設備中的信號切換和功率調節(jié)功能�
FDMC86101L, FDMC86103L