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FDMC5614P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 16:55:30 查看 閱讀�19

FDMC5614P 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種高效能開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  � MOSFET 的封裝形式為 DPAK (TO-252),使其能夠滿足表面貼裝需�,并提供良好的散熱能�。FDMC5614P 廣泛用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,特別是在需要高效能和小體積解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  �(dǎo)通電阻:30mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下測(cè)量)
  柵極電荷�19nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=17ns,toff=13ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

FDMC5614P 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低導(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器和同步整流電��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性�
  4. 小巧� DPAK 封裝,有助于減少 PCB 空間占用�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的需��
  6. �(nèi)部設(shè)�(jì)�(yōu)化以減少寄生電感和電�,從而提高整體性能�

�(yīng)�

FDMC5614P 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 電池保護(hù)和充電管理電路�
  6. 各類(lèi)消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的高效能功率�(zhuǎn)換模��

替代型號(hào)

FDMC5615P, FDMC5616P, FDMQ8203

fdmc5614p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdmc5614p資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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fdmc5614p參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.7A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 5.7A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1055pF @ 30V
  • 功率 - 最�2.1W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-Power33�3x3�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)FDMC5614PTR