FDMC4435BZ是一款采用飛兆半�(dǎo)體先�(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)的P溝道MOSFET。它�(jīng)�(guò)特別定制,可最大限度地降低�(dǎo)通電�。它非常適合便攜式電池組中常�(jiàn)的負(fù)載切換應(yīng)用�
VGS=-10 V,ID=-8.5 A�(shí),最大rDS(on�=20 mΩ
VGS=-4.5 V,ID=-6.3 A�(shí),最大rDS(on�=37 mΩ
適用于電池應(yīng)用的�(kuò)展VGSS范圍�-25 V�
用于極低rDS(on)的高性能溝槽技�(shù)
高功率和電流處理能力
HBM ESD保護(hù)等級(jí)典型�>7 kV(注4�
100%UIL�(cè)�
端子�(wú)�,符合RoHS�(biāo)�(zhǔn)
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.015Ω
耗散功率�31 W
閾值電壓:1.9 V
漏源極電�(Vds)�30 V
上升�(shí)間:6 ns
輸入電容(Ciss)�1540pF 15V(Vds)
額定功率(Max)�2.3 W
下降�(shí)間:20 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�2300 mW
材質(zhì):Silicon
工作溫度�-55℃~150�
RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tape&Reel(TR)
制造應(yīng)用:Power Management,Portable Devices