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FDMC4435BZ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/8/8 18:00:39 查看 閱讀�383

FDMC4435BZ是一款采用飛兆半�(dǎo)體先�(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)的P溝道MOSFET。它�(jīng)�(guò)特別定制,可最大限度地降低�(dǎo)通電�。它非常適合便攜式電池組中常�(jiàn)的負(fù)載切換應(yīng)用�

特�

VGS=-10 V,ID=-8.5 A�(shí),最大rDS(on�=20 mΩ
  VGS=-4.5 V,ID=-6.3 A�(shí),最大rDS(on�=37 mΩ
  適用于電池應(yīng)用的�(kuò)展VGSS范圍�-25 V�
  用于極低rDS(on)的高性能溝槽技�(shù)
  高功率和電流處理能力
  HBM ESD保護(hù)等級(jí)典型�>7 kV(注4�
  100%UIL�(cè)�
  端子�(wú)�,符合RoHS�(biāo)�(zhǔn)

技�(shù)參數(shù)

針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.015Ω
  耗散功率�31 W
  閾值電壓:1.9 V
  漏源極電�(Vds)�30 V
  上升�(shí)間:6 ns
  輸入電容(Ciss)�1540pF 15V(Vds)
  額定功率(Max)�2.3 W
  下降�(shí)間:20 ns
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�2300 mW

物理參數(shù)

材質(zhì):Silicon
  工作溫度�-55℃~150�

符合�(biāo)�(zhǔn)

RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
  含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free

其他

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tape&Reel(TR)
  制造應(yīng)用:Power Management,Portable Devices

fdmc4435bz推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdmc4435bz資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdmc4435bz參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 8.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs46nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2045pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-MLP,Power33
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�MLP�3.3x3.3�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDMC4435BZTR