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FDL100N50F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/12/19 17:59:44 查看 閱讀�524

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:UniFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�55 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�100A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�238nC @ 10V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �12000pF @ 25V
功率 - 最大:2500W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)
包裝:管�

fdl100n50f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdl100n50f資料 更多>

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fdl100n50f參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝25
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UniFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫歐 @ 50A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs238nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds12000pF @ 25V
  • 功率 - 最�2500W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-264-3,TO-264AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-264
  • 包裝管件