FDJ128N是一款高性能的N溝道功率MOSFET,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有出色的電氣性能和可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�128A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�55nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=12ns, toff=9ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
FDJ128N具有低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。此�,其快速的�(kāi)�(guān)速度使得它非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
該器件具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然可以保持�(wěn)定的性能輸出�
�(nèi)置ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了芯片的抗靜電能�,從而提高了整體的可靠��
采用�(biāo)�(zhǔn)的TO-247封裝形式,便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
廣泛�(yīng)用于工業(yè)控制�(lǐng)域中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路;通信�(shè)備中的電源管理模塊;消費(fèi)類電子產(chǎn)品里的充電器與適配器;以及新能源汽車的逆變器和DC-AC�(zhuǎn)換系�(tǒng)等場(chǎng)�。由于其�(qiáng)大的電流承載能力和高效的能量�(zhuǎn)換特性,特別適合需要高功率密度的設(shè)�(jì)方案�
IRF1405Z, FDP150N06L, IXFN150N06T2