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FDJ128N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 14:10:37 查看 閱讀�25

FDJ128N是一款高性能的N溝道功率MOSFET,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有出色的電氣性能和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�128A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�55nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=12ns, toff=9ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

FDJ128N具有低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。此�,其快速的�(kāi)�(guān)速度使得它非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  該器件具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然可以保持�(wěn)定的性能輸出�
  �(nèi)置ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了芯片的抗靜電能�,從而提高了整體的可靠��
  采用�(biāo)�(zhǔn)的TO-247封裝形式,便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

廣泛�(yīng)用于工業(yè)控制�(lǐng)域中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路;通信�(shè)備中的電源管理模塊;消費(fèi)類電子產(chǎn)品里的充電器與適配器;以及新能源汽車的逆變器和DC-AC�(zhuǎn)換系�(tǒng)等場(chǎng)�。由于其�(qiáng)大的電流承載能力和高效的能量�(zhuǎn)換特性,特別適合需要高功率密度的設(shè)�(jì)方案�

替代型號(hào)

IRF1405Z, FDP150N06L, IXFN150N06T2

fdj128n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • FDJ128N
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fdj128n參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 5.5A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds543pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC75-6 FLMP
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-75
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDJ128NTRFDJ128N_NLFDJ128N_NLTRFDJ128N_NLTR-ND