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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDG6332C

FDG6332C 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 0:23:23 查看 閱讀�29

FDG6332C是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于多種�(kāi)�(guān)和負(fù)載驅(qū)�(dòng)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的工藝制�,具有低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)特性和出色的熱�(wěn)定�。FDG6332C通常用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)域中的電源管理電路�
  此MOSFET適合需要高效率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電池管理系�(tǒng)和電�(jī)�(qū)�(dòng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±10V
  連續(xù)漏極電流�5.6A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�40mΩ
  柵極電荷�8nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

FDG6332C的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電�,這有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  此外,該器件具有較高的電流承載能�,能夠滿足大功率�(yīng)用的需��
  其快速開(kāi)�(guān)特性使得它非常適合高頻操作�(huán)境,同時(shí)�(nèi)置的保護(hù)�(jī)制提升了�(chǎn)品的可靠性和安全��
  FDG6332C還具備良好的熱性能,可以有效防止因�(guò)熱導(dǎo)致的損壞�
  總的�(lái)�(shuō),這款MOSFET在性能、穩(wěn)定性和易用性方面表�(xiàn)出色,是許多�(shè)�(jì)工程師的理想選擇�

�(yīng)�

FDG6332C廣泛�(yīng)用于各類電子�(shè)備中,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電池充電和保�(hù)電路
  4. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的信號(hào)傳輸與處�
  這些�(yīng)用場(chǎng)景充分利用了FDG6332C的高效能、快速響�(yīng)和強(qiáng)魯棒性的�(yōu)�(shì)�

替代型號(hào)

IRLZ44N, FDN340P

fdg6332c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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fdg6332c參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列PowerTrench®
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C700mA�600mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫歐 @ 700mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds113pF @ 10V
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-70-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDG6332C-ND