FDG6318PZ 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電�、快速開關速度和高電流處理能力等特�,非常適合用于電源管�、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景�
該器件主要針對便攜式電子設備、工�(yè)自動化、通信基礎設施等領域設�,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�24A
導通電阻(典型值)�2.5mΩ
總柵極電荷:37nC
輸入電容�1250pF
工作溫度范圍�-55� � 150�
FDG6318PZ 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損耗,從而提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開關性能,支持高頻操�,適用于對動�(tài)響應要求較高的應用�
3. 高雪崩耐量能力,增強了器件在異常情況下的可靠��
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色設計需��
5. 小型封裝選項,節(jié)� PCB 空間,便于實�(xiàn)緊湊型設��
6. 提供全面的靜電放電保護功�,以確保器件在實際使用中的穩(wěn)定性�
FDG6318PZ 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS),如電動車和儲能設備中的電池保護電路�
3. 各種電機�(qū)動應用,例如無人�、家用電器和工業(yè)自動化設備�
4. 電信基礎設施中的負載開關和功率分��
5. 便攜式電子設備中的高效功率管理模塊�
IRF6318PBF, AO6318PZ