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FDG6301N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/19 14:49:15 查看 閱讀�383

FDG6301N是一種高性能的N溝道MOSFET晶體管,具有低導(dǎo)通電�、高頻響�(yīng)、低�(kāi)�(guān)損耗等特點(diǎn)。它是一種高速開(kāi)�(guān)器件,可以用于DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、PWM控制器等電源�(yīng)用中�
  FDG6301N是一款高壓瓦楞紙板機(jī)。它采用了先�(jìn)的電腦控制技�(shù)和氣�(dòng)控制技�(shù),實(shí)�(xiàn)了高效率、高精度的生�(chǎn)。該�(jī)器可以生�(chǎn)各種類型的瓦楞紙板,如A、B、C、E、F、G等型�(hào)的瓦楞紙板,可廣泛應(yīng)用于各種包裝行業(yè)�
  FDG6301N采用氣動(dòng)控制技�(shù),其操作理論是通過(guò)氣動(dòng)控制系統(tǒng)控制�(jī)器的�(yùn)�(dòng)。該�(jī)器采用了多重保護(hù)裝置,包括過(guò)載保�(hù)、過(guò)熱保�(hù)、斷電保�(hù)�,確保機(jī)器的安全�(yùn)��
  FDG6301N主要由�(jìn)紙部�、壓紋部�、切紙部�、送紙部分、成品部分等組成。�(jìn)紙部分用于將原料紙送入�(jī)器,壓紋部分用于壓制紙板,切紙部分用于將紙板切割成所需�(zhǎng)�,送紙部分用于將紙板送入下一道工�,成品部分用于收集成品紙��

參數(shù)與指�(biāo)

1、電阻:RDS(ON) = 6.5mΩ@VGS=10V
  2、電壓:VDS = 30V
  3、電流:ID = 8A
  4、封裝:SOT-23
  5、溫度范圍:-55� ~ 150�

特點(diǎn)

1、低�(dǎo)通電阻:FDG6301N的導(dǎo)通電阻很低,可以降低�(kāi)�(guān)損耗和溫升,提高效率�
  2、高頻響�(yīng):FDG6301N的高頻響�(yīng)能力較強(qiáng),可以應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電路�
  3、低�(kāi)�(guān)損耗:FDG6301N的開(kāi)�(guān)損耗很小,因此可以降低功�,提高電源效��
  4、SOT-23封裝:FDG6301N采用SOT-23封裝,占用空間小,適合于大規(guī)模集成電��
  5、可靠性高:FDG6301N具有較高的可靠�,可以滿足各種嚴(yán)苛的�(yīng)用環(huán)��

工作原理

FDG6301N是一種N溝道MOSFET晶體�,它是一種電流控制開(kāi)�(guān)器件。當(dāng)輸入控制信號(hào)VGS大于MOSFET的閾值電壓VT�(shí),MOSFET的導(dǎo)通電阻很�,電流可以通過(guò)MOSFET流過(guò)。當(dāng)VGS小于VT�(shí),MOSFET的導(dǎo)通電阻很�,電流無(wú)法通過(guò)MOSFET,MOSFET處于�(guān)斷狀�(tài)。當(dāng)MOSFET處于�(dǎo)通狀�(tài)�(shí),電流從源極流入漏極,此�(shí)MOSFET的導(dǎo)通電阻很�,因此能�?qū)崿F(xiàn)高效率地能量傳輸。當(dāng)MOSFET處于�(guān)斷狀�(tài)�(shí),漏極與源極之間的電壓很�,電流無(wú)法流�(guò),此�(shí)MOSFET的開(kāi)�(guān)損耗很��

�(yīng)�

1、DC-DC�(zhuǎn)換器:FDG6301N可用于DC-DC�(zhuǎn)換器中的�(kāi)�(guān)電路,實(shí)�(xiàn)高效率的能量傳輸�
  2、逆變器:FDG6301N可用于逆變器中的開(kāi)�(guān)電路,將直流電轉(zhuǎn)換為交流��
  3、PWM控制器:FDG6301N可用于PWM控制器中的開(kāi)�(guān)電路,實(shí)�(xiàn)精確的電源控��

FDG6301N的設(shè)�(jì)注意事項(xiàng)

1、確定工作電壓:在設(shè)�(jì)電路�(shí),要確定MOSFET的工作電壓范�,以保證器件的安全運(yùn)��
  2、控制信�(hào):在使用MOSFET�(shí),要保證控制信號(hào)的幅值和頻率適當(dāng),以免損壞器��
  3、散熱:在高功率�(yīng)用中,要為MOSFET提供足夠的散�,以保證器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
  4、PCB布局:在�(shè)�(jì)PCB布局�(shí),應(yīng)盡量縮短MOSFET的引腳長(zhǎng)�,以降低電感和電容的干擾�
  5、靜電保�(hù):在使用MOSFET�(shí),要注意靜電保護(hù),避免靜電損壞器��

fdg6301n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdg6301n資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdg6301n參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C220mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 歐姆 @ 220mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9.5pF @ 10V
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-70-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDG6301NTR