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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FDD8770

FDD8770 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 13:01:11 查看 閱讀�26

FDD8770是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用先進的工藝制�,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能�。它通常被用于開關電�、DC-DC轉換�、電機驅動以及其他需要高效功率管理的應用場景�
  這款MOSFET以其出色的電氣性能和高可靠性著�,能夠在廣泛的電壓范圍內�(wěn)定工�。其封裝形式為TO-220,便于安裝和散熱�

參數

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�30A
  導通電阻:1.5mΩ
  總功耗:125W
  結溫范圍�-55� to 150�
  封裝形式:TO-220

特�

FDD8770的主要特點包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低傳導損�,提升系統效��
  2. 高電流承載能力,適用于大功率應用�
  3. 快速開關速度,有助于減少開關損��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下仍能保持可靠性能�
  5. 小型化的封裝設計,便于PCB布局與散熱處��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計�

應用

FDD8770廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電��
  2. 各類DC-DC轉換�,例如降壓或升壓電路�
  3. 電動工具及家用電器中的電機驅��
  4. 汽車電子系統,比如啟動馬達控制和負載切換�
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率調節(jié)和保護電��
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉換裝置�

替代型號

FDP5570, IRFZ44N, STP30NF06L

fdd8770推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
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fdd8770資料 更多>

  • 型號
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  • FDD8770
  • N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35...
  • FAIRCHILD&nbs...
  • 閱覽

fdd8770參數

  • 產品培訓模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C35A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫歐 @ 35A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs73nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3720pF @ 13V
  • 功率 - 最�115W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDD8770TR