FDD86569-F085 時(shí)間：2025/5/16 14:55:26 閱讀：17

FDD86659-F085 是一款高性能的 N 沃特（Nexperia）MOSFET，主要應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。該器件采用 DFN1010-4 封裝形式，具有超低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適合高效率、高密度的電路設(shè)計(jì)。
　　其內(nèi)部結(jié)構(gòu)為增強(qiáng)型 NMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，能夠以較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓實(shí)現(xiàn)高效開關(guān)性能，同時(shí)支持大電流輸出，從而滿足消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備對(duì)小型化和高能效的需求。

參數(shù)

型號(hào)：FDD86569-F085
　　封裝：DFN1010-4
　　Vds（漏源極擊穿電壓）：30V
　　Rds(on)（最大導(dǎo)通電阻，典型值）：2.5mΩ @ Vgs=4.5V
　　Id（連續(xù)漏極電流）：14A
　　Vgs(th)（柵極開啟電壓）：1.3V~2.5V
　　Qg（總柵極電荷量）：8nC
　　f（工作頻率范圍）：高達(dá) 2MHz
　　功耗：取決于應(yīng)用條件
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C

特性

FDD86569-F085 的核心特點(diǎn)是其卓越的電氣性能與緊湊的封裝形式。
　　1. 超低導(dǎo)通電阻 Rds(on)，使得傳導(dǎo)損耗顯著降低，從而提高整體效率。
　　2. 支持高開關(guān)頻率操作，適配現(xiàn)代高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器或負(fù)載切換電路。
　　3. 工作溫度范圍寬廣，能夠在極端條件下保持穩(wěn)定性。
　　4. 小型化的 DFN1010-4 封裝減少了 PCB 占用空間，利于便攜式設(shè)備的設(shè)計(jì)。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，并且具備良好的靜電防護(hù)能力。
　　6. 柵極驅(qū)動(dòng)電壓低至 1.3V 即可有效開啟，非常適合電池供電系統(tǒng)中的應(yīng)用。
　　這些特性共同確保了 FDD86569-F085 在各種高要求場(chǎng)合下的可靠表現(xiàn)。

應(yīng)用

這款 MOSFET 廣泛適用于以下領(lǐng)域：
　　1. 移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)，例如智能手機(jī)和平板電腦。
　　2. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)元件。
　　3. 電池管理系統(tǒng)（BMS），用于保護(hù)和控制電池充放電過程。
　　4. USB-C PD（電源傳輸）端口的電力路徑管理。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化中步進(jìn)電機(jī)或伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路。
　　6. 汽車電子中的小型負(fù)載控制模塊，如 LED 照明驅(qū)動(dòng)或傳感器接口。
　　FDD86569-F085 的靈活性和高效性使其成為眾多需要小尺寸、高效率解決方案的理想選擇。