FDD86102LZ是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進的工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點。其封裝形式為SOT-23,適合用于空間受限的�(yīng)用場��
FDD86102LZ通常被用作功率開�(guān),在消費電子、工�(yè)控制、通信�(shè)備等�(lǐng)域中�(fā)揮重要作�。通過�(yōu)化的芯片�(shè)計,該MOSFET能夠在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能�
最大漏源電壓:45V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�0.6A
�(dǎo)通電阻:1.9Ω
總電荷量�12nC
功耗:0.4W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
FDD86102LZ具備以下特點�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低功率損��
2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻電源�(zhuǎn)換電��
3. 小型SOT-23封裝,節(jié)省PCB板空��
4. 出色的熱�(wěn)定性和可靠性,適應(yīng)�(yán)苛的工作�(huán)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
6. 柵極閾值電壓較�,易于驅(qū)��
FDD86102LZ廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter��
3. 電池管理系統(tǒng)的保護開�(guān)�
4. 消費類電子產(chǎn)品中的負載開�(guān)�
5. 電機�(qū)動和信號切換�
6. 背光�(qū)動電路和其他便攜式設(shè)備中的功率管理解決方��
FDS86102Z, BSS123