FDD6688S是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
其封裝形式通常為TO-252(DPAK�,能夠提供出色的散熱性能和電氣特��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻:13mΩ
柵極電荷�7nC
總電容:1050pF
工作溫度范圍�-55℃至150�
FDD6688S的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和高效率表�(xiàn)。在典型條件�,其�(dǎo)通電阻僅�13mΩ,從而顯著降低功率損耗并提升整體系統(tǒng)效率�
此外,該器件具有較小的柵極電荷,使其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開�(guān)速度,適用于高頻電路�(shè)��
它還具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在較寬的工作溫度范圍內(nèi)仍能保持�(wěn)定的性能輸出。同�,由于其采用表面貼裝技�(shù)(SMD)封裝,非常適合自動化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)計需��
FDD6688S適用于多種電子設(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電池管理模塊
4. 電機(jī)�(qū)動控制器
5. �(fù)載開�(guān)及保�(hù)電路
6. 工業(yè)自動化控制設(shè)�
憑借其高性能指標(biāo)與可靠�,這款MOSFET成為了許多現(xiàn)代電子系�(tǒng)中的理想選擇�
FDP5802, IRLZ44N, AO3400A