FDD6688是一款N溝道增強型場效應晶體管(MOSFET�,主要用于開關和功率放大應用。該器件采用了先進的制造工藝,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能�,適合在高效率電源轉�、電機驅(qū)動以及負載開關等場景中使��
這款MOSFET以其出色的性能和可靠性著�,在設計上注重降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�32A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�74nC
總電容(輸入電容):2290pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
FDD6688具備以下主要特性:
1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損��
2. 高額定電�,能夠支持大功率應用�
3. 快速開關速度,優(yōu)化了動態(tài)性能�
4. 良好的熱�(wěn)定�,適應寬廣的工作溫度范圍�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠�
這些特點使得FDD6688成為眾多工業(yè)及消費類電子�(chǎn)品的理想選擇�
FDD6688廣泛應用于各種需要高效能功率控制的領�,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS�
2. 電動工具中的電機�(qū)�
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切�
4. 電信系統(tǒng)中的DC/DC轉換
5. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS�
由于其卓越的電氣性能和可靠性,F(xiàn)DD6688在上述應用中表現(xiàn)出色�
FDP6688
FDS6688