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FDD6670AS 發(fā)布時間 時間�2025/5/21 17:37:19 查看 閱讀�20

FDD6670AS是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、負(fù)載開�(guān)以及其他功率管理電路�。該器件采用了先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,能夠有效提升系統(tǒng)的效率和�(wěn)定��
  這款MOSFET適用于中低電壓場�,其封裝形式為SOT-23,適合在空間受限的設(shè)計中使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±12V
  連續(xù)漏極電流�1.1A
  �(dǎo)通電阻:150mΩ
  總功耗:420mW
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

FDD6670AS具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
  3. 小型化的SOT-23封裝,非常適合緊湊型�(shè)��
  4. 良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�
  5. �(nèi)置ESD保護功能,提升了器件的抗靜電能力�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的需��

�(yīng)�

FDD6670AS常用于以下應(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源中的同步整流��
  2. 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  3. 消費類電子產(chǎn)品的電池管理�
  4. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
  5. 信號路徑切換和其他低功耗控制電��
  由于其低�(dǎo)通電阻和小型化封�,該器件特別適合對尺寸和效率有嚴(yán)格要求的�(chǎn)品設(shè)��

替代型號

FDS6670A, FDN340P, AO3400A

fdd6670as推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdd6670as資料 更多>

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  • 描述
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fdd6670as參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C76A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫歐 @ 13.8A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1580pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDD6670AS-NDFDD6670ASTR
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