FDD6635是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件廣泛應用于開關電�、電機驅�、負載開關以及其他需要高效率和低導通損耗的場合�
其設計特點在于較低的導通電阻和較高的電流處理能力,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�49A
導通電阻:1.8mΩ
總柵極電荷:37nC
輸入電容�1600pF
工作結溫范圍�-55℃至+150�
FDD6635具備以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠在高電流應用中降低功��
2. 快速開關速度,有助于提升整體效率并減少電磁干��
3. 較高的雪崩擊穿能�,增強了器件在異常條件下的可靠性�
4. �(yōu)化的熱性能設計,使其在高溫�(huán)境下依然可以�(wěn)定運��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合現代電子設備制造需��
該器件適用于多種電力電子應用領域,包括但不限于以下方面:
1. 開關模式電源(SMPS)中的功率開��
2. 各類直流電機控制電路中的驅動元件�
3. 負載切換或保護電路中的電子開��
4. 電池管理系統(tǒng)中的充放電管理模塊�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換組��
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5500
IXYS GPLU60N05S3