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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDD6632

FDD6632 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/31 3:02:22 查看 閱讀�15

FDD6632 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用小型化 DPAK 封裝(TO-252�,廣泛應(yīng)用于需要高效開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通損耗的電路�。該器件適用于多種電源管理應(yīng)�,包� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  其設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于提供較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))和較高的開(kāi)�(guān)速度,從而實(shí)�(xiàn)更高的效率和更低的發(fā)熱特��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):30mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�14nC(典型值)
  輸入電容�1390pF(典型值)
  總功耗:140W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

FDD6632 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合�
  3. 較高的雪崩擊穿能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  5. 高電流處理能�,支持高�(dá) 18A 的連續(xù)漏極電流�
  6. 小型化的 DPAK 封裝,節(jié)� PCB 空間同時(shí)具備良好的散熱性能�

�(yīng)�

FDD6632 可用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  2. 各類(lèi) DC-DC �(zhuǎn)換器,例如降壓或升壓�?fù)�?br>  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源模��
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的高邊/低邊�(kāi)�(guān)功能�
  7. 通信�(shè)備中的輔助電源部��

替代型號(hào)

FDP5500
  IRF540N
  FDS6660

fdd6632推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdd6632資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載
  • FDD6632
  • N-Channel Logic Level UltraFET Trenc...
  • FAIRCHILD
  • 閱覽

fdd6632參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UltraFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs4nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds255pF @ 15V
  • 功率 - 最�15W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)