FDD5N50UTF是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它通常用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用中。這種MOSFET以其低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓而聞�,能夠承受高�500V的漏源極電壓,同時提供較低的�(dǎo)通損��
漏源極電�(Vds)�500V
連續(xù)漏極電流(Id)�5A
柵源極電�(Vgs):�20V
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.4Ω(最大�,在Vgs=10V時)
總功�(Ptot)�98W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
存儲溫度范圍(Tstg)�-55℃至+175�
FDD5N50UTF具備�(yōu)秀的電氣性能,適合于高頻開關(guān)�(yīng)�。其主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(500V�,確保在高壓�(huán)境下的可靠��
2. 低導(dǎo)通電阻(3.4Ω),降低功率損��
3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損��
4. 具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下工��
5. 小型化封裝設(shè)�,便于集成到緊湊型電路中�
6. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的魯棒��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. 電機控制和驅(qū)動電��
3. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 各類工業(yè)�(shè)備中的高壓開�(guān)元件�
5. LED�(qū)動器以及其他需要高效功率管理的場景�
IRF540N
STP55NF06
FDP5N50