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FDD5N50UTF 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 17:42:40 查看 閱讀�20

FDD5N50UTF是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它通常用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用中。這種MOSFET以其低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓而聞�,能夠承受高�500V的漏源極電壓,同時提供較低的�(dǎo)通損��

參數(shù)

漏源極電�(Vds)�500V
  連續(xù)漏極電流(Id)�5A
  柵源極電�(Vgs):�20V
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.4Ω(最大�,在Vgs=10V時)
  總功�(Ptot)�98W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
  存儲溫度范圍(Tstg)�-55℃至+175�

特�

FDD5N50UTF具備�(yōu)秀的電氣性能,適合于高頻開關(guān)�(yīng)�。其主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓(500V�,確保在高壓�(huán)境下的可靠��
  2. 低導(dǎo)通電阻(3.4Ω),降低功率損��
  3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損��
  4. 具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下工��
  5. 小型化封裝設(shè)�,便于集成到緊湊型電路中�
  6. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的魯棒��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
  2. 電機控制和驅(qū)動電��
  3. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
  4. 各類工業(yè)�(shè)備中的高壓開�(guān)元件�
  5. LED�(qū)動器以及其他需要高效功率管理的場景�

替代型號

IRF540N
  STP55NF06
  FDP5N50

fdd5n50utf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價