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FDD5810 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 10:05:41 查看 閱讀：16

FDD5810是一款N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載切換等應(yīng)用中。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，能夠在高頻應(yīng)用中提供高效的性能。
　　其采用TO-252封裝形式，能夠承受較高的電流和電壓，同時(shí)具備良好的散熱性能。由于其出色的電氣特性和可靠性，F(xiàn)DD5810在消費(fèi)電子、工業(yè)控制及汽車電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　持續(xù)漏極電流：7.5A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：40mΩ
　　總功耗：2.1W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
　　封裝形式：TO-252

特性

FDD5810的主要特性包括：
　　1. 低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可以有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)速度，支持高頻應(yīng)用。
　　3. 高雪崩能量能力，提高了器件的魯棒性和可靠性。
　　4. 支持寬范圍的工作溫度，適應(yīng)多種環(huán)境條件。
　　5. 具備抗靜電保護(hù)功能，可防止因靜電放電導(dǎo)致的損壞。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代制造工藝需求。

應(yīng)用

FDD5810適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的H橋或半橋開(kāi)關(guān)。
　　4. 各種負(fù)載切換和保護(hù)電路。
　　5. 汽車電子中的電池管理與電源分配。
　　6. 工業(yè)設(shè)備中的電磁閥和繼電器驅(qū)動(dòng)。

替代型號(hào)

FQP17N06, IRLZ44N, FDN367P

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fdd5810參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C37A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C22 毫歐 @ 32A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1890pF @ 25V
  • 功率 - 最大72W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-252
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDD5810TR