FDD5670是一款N溝道增強型功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等場景。該器件采用TO-220封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能��
其設(shè)計旨在提高效率并降低功�,適用于多種工業(yè)及消費電子應(yīng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�48A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.5mΩ
總柵極電荷:55nC
開關(guān)速度:快�
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
FDD5670具備低導(dǎo)通電阻的特點,可顯著減少傳導(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
該器件還擁有出色的熱性能和高可靠性,能夠承受較長時間的高�(fù)載運��
其快速開�(guān)特性有助于降低開關(guān)損�,并支持高頻操作,從而減小外圍元件尺�,優(yōu)化電路設(shè)��
FDD5670在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn),適合對溫度敏感的應(yīng)用場景�
該芯片主要應(yīng)用于高效能開�(guān)電源、電機控制驅(qū)�、負(fù)載開�(guān)、續(xù)流二極管替代以及DC-DC�(zhuǎn)換器��
其高電流處理能力和低�(dǎo)通電阻特別適合需要大功率輸出的場合,例如工業(yè)�(shè)�、通信電源、電動汽車充電樁��
此外,它也可用于消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模�,如筆記本適配器或平板充電器�
IRFZ44N
STP40NF06
FDP5670