FDD4685是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合需要高效能和低損耗的�(yīng)用場��
該MOSFET采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,能夠提供出色的性能表現(xiàn),并且在高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定的工作特性�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�13.8A
脈沖漏極電流�39A
�(dǎo)通電阻:20mΩ
總柵極電荷:27nC
輸入電容�1270pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
FDD4685具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on))設(shè)�(jì),能夠有效降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用場��
3. 較高的雪崩耐量,增�(qiáng)了器件的可靠��
4. 小型化封�,便于PCB布局和散熱管��
5. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
FDD4685適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC�(zhuǎn)換器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)等�
3. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理部��
FDP5600
FDS6680
IRFZ44N