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FDD3N50NZTM 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 14:06:58 查看 閱讀�20

FDD3N50NZTM 是一款由 Fairchild(現(xiàn)已被 ON Semiconductor 收購(gòu))生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 TO-220 封裝,適用于多種高功率應(yīng)用場(chǎng)�。FDD3N50NZTM 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,使其成為電源轉(zhuǎn)�、電�(jī)控制� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用的理想選擇�
  FDD3N50NZTM 的最大工作電壓為 500V,能夠承受較高的漏源極電壓,同時(shí)具備良好的熱性能和電氣性能�

參數(shù)

最大漏源極電壓�500V
  最大漏極電流:1.6A(在脈沖條件下可�(dá) 4.8A�
  �(dǎo)通電阻:2.7Ω(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�9nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)� 35ns,下降時(shí)� 20ns
  封裝形式:TO-220

特�

FDD3N50NZTM 具備以下顯著特性:
  1. 高電壓處理能�,適合需要高壓操作的工業(yè)�(yīng)用�
  2. 極低的導(dǎo)通電�,減少了�(dǎo)通損耗并提高了效��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗,尤其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
  4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,確保在�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行下的可靠性和散熱性�
  5. 小型化的 TO-220 封裝�(shè)�(jì),便于集成到各種電路板中�

�(yīng)�

FDD3N50NZTM 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  4. 電池充電器和逆變器�
  5. 各類需要高效功率切換的電子�(shè)備中�

替代型號(hào)

FDP3N50Z, IRF540N, STP3NC50E

fdd3n50nztm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdd3n50nztm參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UniFET-II™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 歐姆 @ 1.25A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V
  • 功率 - 最�40W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)