FDD14AN06LA0 是一� N 沯道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用 LFPAK8L 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種高效能開(kāi)�(guān)�(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)�。其�(yōu)化的性能使得它在功率�(zhuǎn)換領(lǐng)域表�(xiàn)�(yōu)異�
型號(hào):FDD14AN06LA0
類型:N 沯道增強(qiáng)� MOSFET
Vds(漏源電壓)�60V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):43A
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2.5V
Qg(總柵極電荷):39nC
EAS(雪崩能量)�357mJ
Tj(結(jié)溫范圍)�-55°C � +175°C
封裝:LFPAK8L
FDD14AN06LA0 具有非常低的�(dǎo)通電� Rds(on),能夠顯著減少傳�(dǎo)損�,從而提高整體效率�
� LFPAK8L 封裝提供卓越的散熱性能,并且支持表面貼裝技�(shù)(SMT),便于自動(dòng)化生�(chǎn)�
該器件還具備快速開(kāi)�(guān)能力,有助于降低�(kāi)�(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
由于其高雪崩能量等級(jí),F(xiàn)DD14AN06LA0 在面�(duì)異常情況�(shí)表現(xiàn)出良好的�(wěn)健性�
另外,其寬廣的工作溫度范圍確保了在極端環(huán)境下的可靠性�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于需要高性能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)景中,例如:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器
4. �(fù)載開(kāi)�(guān)
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 工業(yè)�(shè)備中的功率管理模�
FDD14AN06LA0 的高效性能和緊湊設(shè)�(jì)使其成為許多�(xiàn)代電子產(chǎn)品的理想選擇�
FDMF14AN06L, FDMS14AN06L