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FDD14AN06LA0 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 13:27:14 查看 閱讀�26

FDD14AN06LA0 是一� N 沯道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用 LFPAK8L 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種高效能開(kāi)�(guān)�(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)�。其�(yōu)化的性能使得它在功率�(zhuǎn)換領(lǐng)域表�(xiàn)�(yōu)異�

參數(shù)

型號(hào):FDD14AN06LA0
  類型:N 沯道增強(qiáng)� MOSFET
  Vds(漏源電壓)�60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):43A
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2.5V
  Qg(總柵極電荷):39nC
  EAS(雪崩能量)�357mJ
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55°C � +175°C
  封裝:LFPAK8L

特�

FDD14AN06LA0 具有非常低的�(dǎo)通電� Rds(on),能夠顯著減少傳�(dǎo)損�,從而提高整體效率�
  � LFPAK8L 封裝提供卓越的散熱性能,并且支持表面貼裝技�(shù)(SMT),便于自動(dòng)化生�(chǎn)�
  該器件還具備快速開(kāi)�(guān)能力,有助于降低�(kāi)�(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
  由于其高雪崩能量等級(jí),F(xiàn)DD14AN06LA0 在面�(duì)異常情況�(shí)表現(xiàn)出良好的�(wěn)健性�
  另外,其寬廣的工作溫度范圍確保了在極端環(huán)境下的可靠性�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于需要高性能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)景中,例如:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān)
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 工業(yè)�(shè)備中的功率管理模�
  FDD14AN06LA0 的高效性能和緊湊設(shè)�(jì)使其成為許多�(xiàn)代電子產(chǎn)品的理想選擇�

替代型號(hào)

FDMF14AN06L, FDMS14AN06L

fdd14an06la0推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdd14an06la0資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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fdd14an06la0參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.6 毫歐 @ 50A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs32nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2810pF @ 25V
  • 功率 - 最�125W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)