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FDD120AN15A0 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 17:20:47 查看 閱讀：11

FDD120AN15A0 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-247 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，適用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。
　　該 MOSFET 的設(shè)計(jì)使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，同時(shí)具備良好的熱性能和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：150V
　　連續(xù)漏極電流：120A
　　導(dǎo)通電阻：1.8mΩ
　　柵極電荷：95nC
　　總電容（輸入電容）：3100pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ to +175℃
　　封裝類型：TO-247

特性

FDD120AN15A0 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
　　2. 高電流處理能力，支持高達(dá) 120A 的連續(xù)漏極電流。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)速度，得益于較低的柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss)，適合高頻應(yīng)用。
　　4. 熱穩(wěn)定性良好，允許的工作結(jié)溫范圍寬廣 (-55℃ 到 +175℃)，能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下使用。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
　　6. TO-247 封裝提供了優(yōu)秀的散熱性能，有助于提升整體系統(tǒng)的可靠性。

應(yīng)用

這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換組件。
　　5. 工業(yè)設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
　　6. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽車 (HEV) 的電池管理系統(tǒng)及電機(jī)控制器。

替代型號(hào)

FDP120N15A0, IRFP260N, STP120N15WS

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fdd120an15a0參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C14A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐 @ 4A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs14.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds770pF @ 25V
  • 功率 - 最大65W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-252AA
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDD120AN15A0-NDFDD120AN15A0TR