FDD068AN03L 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特�,適合于需要高性能功率管理的電路中�
這款 MOSFET 具有出色的開�(guān)性能,能夠有效降低能量損�,并且支持高頻操作。其封裝形式� TO-252 (DPAK),這種封裝�(shè)計有助于提高散熱性能并簡化電路板布局�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�8.4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�35mΩ
柵極電荷�17nC
開關(guān)時間(典型值):ton=19ns, toff=24ns
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
1. 低導(dǎo)通電阻:該器件的典型�(dǎo)通電阻僅� 35mΩ,從而減少了�(dǎo)通時的能量損耗�
2. 高電流處理能力:連續(xù)漏極電流高達(dá) 8.4A,可以滿足大多數(shù)功率�(yīng)用的需求�
3. 快速開�(guān)速度:具有較低的柵極電荷和快速的開關(guān)時間,可減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
4. 良好的熱�(wěn)定性:采用 TO-252 封裝,具備良好的散熱性能,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
5. 寬溫度范圍:可以� -55°C � +150°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)正常工作,適用于各種惡劣�(huán)��
FDD068AN04L, IRFZ44N, FDP5570N