時間：2025/5/23 2:51:45
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FDC796N是一款N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝形式。該器件具有低導通電阻、高擊穿電壓和快速開關速度等特點，適用于各種開關電源、電機驅動、負載開關等應用領域。
這款MOSFET特別適合要求高效能和低功耗的場景，其出色的性能參數使其成為許多電子電路設計中的理想選擇。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：4.1A
導通電阻（典型值）：80mΩ
柵極電荷：3.9nC
開關時間：ton=12ns，toff=31ns
工作結溫范圍：-55℃至150℃
FDC796N具有以下主要特性：
1. 極低的導通電阻，能夠有效降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關速度，適合高頻開關應用。
3. 高擊穿電壓確保在高壓環(huán)境下具備良好的穩(wěn)定性。
4. 小尺寸TO-252封裝，節(jié)省PCB空間并簡化散熱設計。
5. 良好的熱穩(wěn)定性和電氣性能，適應寬廣的工作溫度范圍。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛設計。
FDC796N廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）
2. DC-DC轉換器
3. 電池管理及保護電路
4. 電機驅動與控制
5. 負載開關
6. 各類消費電子產品中的功率控制模塊
由于其高性能表現(xiàn)和可靠性，這款MOSFET在工業(yè)控制、通信設備以及家用電器等領域也有廣泛應用。
FDP796N, IRF796N
