FDC6506P-NL 是一款高性能� N 溝道增強型功� MOSFET,采� TSSOP-8L 封裝。該器件廣泛應用于開關電�、電機驅動、負載開關以及其他需要高效能功率管理的應用中。其低導通電阻和高開關速度使其成為許多功率轉換應用的理想選��
FDC6506P-NL 的設計旨在提供優(yōu)異的熱性能和電氣性能,從而確保在各種復雜�(huán)境下的穩(wěn)定運��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.8A
導通電阻(Rds(on)):17mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
柵極電荷�4.9nC(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝類型:TSSOP-8L
FDC6506P-NL 具有以下關鍵特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)) 確保更低的傳導損�,從而提高整體效��
2. 快速開關能�,減少開關損�,適合高頻應��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件的耐用性和可靠性�
4. 內置靜電放電 (ESD) 保護,提高了器件對瞬�(tài)電壓的抵抗能力�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
FDC6506P-NL 可用于以下領域:
1. 開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流��
2. 便攜式設備中的負載開關�
3. 各類 DC-DC 轉換器模��
4. 電機驅動電路�
5. 電池保護及管理系�(tǒng)�
6. 各種工業(yè)控制和消費類電子�(chǎn)品的功率管理部分�
FDS6506P, FDC6506N