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FDB52N20TM 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 9:03:22 查看 閱讀�27

FDB52N20TM 是一� N 灃道通(Fairchild,現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)的高� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件屬于 FDB 系列,采� TO-220 封裝形式,適用于高電�、中等功率的�(yīng)用場(chǎng)�。其主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及高可靠��
  該芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效率和高可靠性的電子�(shè)備中�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻:0.3Ω
  柵極電荷�6nC
  總功耗:75W
  工作溫度范圍�-55� to +150�
  封裝形式:TO-220

特�

FDB52N20TM 的主要特性包括:
  1. 高電壓承受能力:能夠承受高達(dá) 200V 的漏源電壓,適合高壓�(yīng)用環(huán)��
  2. 快速開�(guān)性能:具有較低的柵極電荷,可�(shí)�(xiàn)快速開�(guān),從而降低開�(guān)損耗�
  3. 低導(dǎo)通電阻:在高電流下表�(xiàn)出較低的�(dǎo)通電�,減少功率損��
  4. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量控制,確保�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在 -55� � +150� 的寬溫度范圍�(nèi)正常工作,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
  6. 保護(hù)功能齊全:內(nèi)置多種保�(hù)�(jī)�,提高整體系�(tǒng)的安全��

�(yīng)�

FDB52N20TM 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主功率開�(guān)元件,用于高效轉(zhuǎn)換和�(wěn)定輸出�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制電�(jī)的速度和方�,特別是在工�(yè)自動(dòng)化和家用電器中�
  3. 逆變器:用于將直流電�(zhuǎn)換為交流�,在太陽(yáng)能發(fā)電系�(tǒng)和不間斷電源(UPS)中�(fā)揮重要作��
  4. LED �(qū)�(dòng)器:用于�(diào)節(jié) LED 燈具的亮度和色彩�
  5. 電池充電器:用于高效充電和保�(hù)電池�(guò)��
  6. 工業(yè)控制:如 PLC 和伺服驅(qū)�(dòng)器中的功率開�(guān)部分�

替代型號(hào)

FDP52N20,
  FDD88P20,
  IRF540N

fdb52n20tm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdb52n20tm資料 更多>

  • 型號(hào)
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fdb52n20tm參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UniFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C52A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C49 毫歐 @ 26A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
  • 功率 - 最�357W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D²PAK
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDB52N20TMTR