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FDB2572 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 14:11:39 查看 閱讀�32

FDB2572是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)推出的雙通道N溝道增強型MOSFET功率晶體�。該器件采用了先進的半導體制造工藝,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,非常適合用于需要高效功率轉換的應用場景�
  該芯片主要設計用于電源管理領�,如DC-DC轉換�、負載開�、電機驅動器等應用。其雙通道結構可以顯著減少電路板空間占�,同時提高系�(tǒng)的整體效率�

參數(shù)

型號:FDB2572
  類型:雙通道N溝道MOSFET
  封裝:SO-8
  Vds(漏源極電壓):30V
  Rds(on)(導通電阻,典型值)�9.5mΩ(在Vgs=10V時)
  Id(持�(xù)漏極電流):12A
  Vgs(柵源電壓):�20V
  Qg(柵極電荷)�6nC
  fT(過渡頻率)�14MHz
  工作溫度范圍�-55°C�+150°C
  功耗:2.3W

特�

FDB2572具有以下主要特性:
  1. 雙通道集成設計,減少了對外部元件的需求,節(jié)省了PCB空間�
  2. 極低的Rds(on),能夠有效降低導通損耗并提升系統(tǒng)效率�
  3. 高速開關性能,適合高頻開關應�,如DC-DC轉換��
  4. 采用標準SO-8封裝,便于安裝和焊接�
  5. 支持寬范圍的工作溫度,確保在極端�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
  6. 具備良好的靜電防護能�,提高了器件的可靠��
  7. 符合RoHS�(huán)保標�,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(huán)保要��

應用

FDB2572廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC轉換器中的功率開��
  3. 負載開關及保護電路�
  4. 小型電機驅動控制�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率分��
  6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊�
  由于其高性能和高可靠�,這款器件特別適用于對效率和空間要求較高的應用場景�

替代型號

FDS6570A, FDN340P, IRLZ44N

fdb2572推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdb2572資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載
  • FDB2572
  • N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 2...
  • FAIRCHILD
  • 閱覽

fdb2572參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C29A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C54 毫歐 @ 9A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1770pF @ 25V
  • 功率 - 最�135W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應商設備封�TO-263AB
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDB2572-NDFDB2572TR