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FDA16N50-F109 發(fā)布時間 時間�2025/4/27 18:47:03 查看 閱讀�31

FDA16N50-F109是一種高壓功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、逆變器以及其他高電壓場景�。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用TO-247封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點(diǎn),能夠有效提升電路的效率和可靠性�
  這種型號是Fairchild Semiconductor(現(xiàn)已被ON Semiconductor收購)生�(chǎn)的產(chǎn)�,其�(shè)計旨在滿足工�(yè)和汽車應(yīng)用中的高耐壓需求�

參數(shù)

最大漏源極電壓�500V
  連續(xù)漏極電流�16A
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  柵極電荷�35nC
  總電容:220pF
  功耗:180W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

FDA16N50-F109的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓:高達(dá)500V,適用于各種高電壓應(yīng)用場景�
  2. 低導(dǎo)通電阻:在同類產(chǎn)品中表現(xiàn)出較低的�(dǎo)通電�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:得益于較小的柵極電荷和總電容,該器件能夠在高頻開關(guān)條件下保持高效運(yùn)��
  4. 熱穩(wěn)定性:具備良好的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下長期�(wěn)定工��
  5. 可靠性高:通過了嚴(yán)格的測試�(biāo)�(zhǔn),確保在惡劣�(huán)境下的可靠性和耐用��
  6. 封裝�(jiān)固:TO-247封裝提供出色的散熱能力和�(jī)械強(qiáng)度�

�(yīng)�

FDA16N50-F109適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):如適配器、充電器等�
  2. 電機(jī)�(qū)動:控制直流電機(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度與方��
  3. 逆變器:用于太陽能逆變器或其他類型的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備�
  4. 工業(yè)自動化:包括PLC控制�、傳感器接口等�
  5. 汽車電子:如啟動馬達(dá)、發(fā)電機(jī)控制單元等�
  6. 高壓�(fù)載切換:�(shí)�(xiàn)對高電壓�(fù)載的精確控制�

替代型號

IRFP260N
  FDP18N50
  STP16NF50

fda16n50-f109推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fda16n50-f109參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�346�(xiàn)�
  • 價格1 : �24.01000管件
  • 系列UniFET?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�500 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)16.5A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)380 毫歐 @ 8.3A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1945 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)205W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-3PN
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3