SuperFET?II MOSFET是飛兆半�(dǎo)體全新的高壓超結(jié)(SJ)MOSFET系列,它利用電荷平衡技�(shù)實現(xiàn)了出色的低導(dǎo)通電阻和較低的柵極電荷性能。該技�(shù)旨在最大限度地減少傳導(dǎo)損�,提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。此�,內(nèi)部柵源ESD二極管允許承受超�2kV的HBM浪涌�(yīng)力。因�,SuperFET II MOSFET非常適合開關(guān)電源�(yīng)�,如音頻、筆記本電腦適配�、照�、ATX電源和工�(yè)電源�(yīng)��
類型。RDS(開啟)=340 mΩ
超低柵極電荷(典型Qg=43nC�
低電阻(典型�4.1 uJ 400 V�
低有效輸出電容(典型Coss(eff.�=138 pF�
100%雪崩測試
符合RoHS�(biāo)�
ESD改進能�
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.34Ω
耗散功率�35.7 W
閾值電壓:4.5 V
輸入電容�1770 pF
漏源極電�(Vds)�800 V
上升時間�12 ns
輸入電容(Ciss)�1770pF 100V(Vds)
下降時間�2.6 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�35700 mW
安裝方式:Through Hole
引腳�(shù)�
封裝:TO-220
長度�10.36 mm
寬度�4.9 mm
高度�16.07 mm
封裝:TO-220
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tube
制造應(yīng)用:通信與網(wǎng)�(luò),電源管理,照明,工業(yè)