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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FCH110N65F-F155

FCH110N65F-F155 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 9:56:30 查看 閱讀�20

FCH110N65F-F155 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�。其耐壓值高�(dá) 650V,適合在高電壓環(huán)境中工作,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)��
  該型�(hào)� Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn),經(jīng)�(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),能夠在各種條件下提供穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源極電壓�650V
  最大連續(xù)漏極電流�11A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.2Ω
  柵極電荷�37nC
  輸入電容�1420pF
  總功耗:16W
  �(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

1. 高擊穿電壓(650V�,確保在高壓�(huán)境下的可靠性�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(典型值為 1.2Ω),能夠有效減少功率損��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操�,降低電磁干擾�
  4. 柵極電荷較低�37nC�,有助于提高系統(tǒng)效率�
  5. 具有出色的熱�(wěn)定性和抗雪崩能力,能夠在極端條件下正常工作�
  6. 小尺寸封裝設(shè)�(jì),便� PCB 布局與散熱管��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制交流或直流電機(jī)的速度和方��
  3. 太陽(yáng)能逆變器,�(shí)�(xiàn)直流到交流的高效�(zhuǎn)��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
  5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)中的�(guān)鍵功率元件�
  6. LED 照明�(qū)�(dòng)電路,提供穩(wěn)定的電流輸出�

替代型號(hào)

FCH110N65F, IRFZ44N, FDP11N65

fch110n65f-f155推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fch110n65f-f155參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�426�(xiàn)�450Factory
  • �(jià)�1 : �62.88000管件
  • 系列FRFET?, SuperFET? II
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�(jì)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�650 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)35A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)110 毫歐 @ 17.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 3.5mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)145 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)4895 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)357W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247-3
  • 封裝/外殼TO-247-3