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FCB36N60NTM 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 15:19:20 查看 閱讀�11

FCB36N60NTM是一款由ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的高壓MOSFET芯片,屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件采用TO-247封裝形式,具有高耐壓、低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適合應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)��
  這款MOSFET的設(shè)�(jì)注重效率和可靠�,能夠在高頻開關(guān)條件下提供出色的性能表現(xiàn)。同�(shí),其較高的雪崩能量能力也確保了在異常工作條件下的�(wěn)定��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�36A
  柵極電荷�85nC
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  總功耗:290W

特�

FCB36N60NTM的主要特�(diǎn)是高耐壓和大電流承載能力,使其非常適合高壓工�(yè)�(yīng)��
  1. 高耐壓能力:高�(dá)600V的漏源電壓使其能夠適�(yīng)多種高壓�(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:0.18Ω的導(dǎo)通電阻顯著降低了功率損耗,提升了系�(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:較小的柵極電荷�85nC)允許快速開�(guān)操作,減少開�(guān)損耗�
  4. 耐熱性好:支持從-55℃到+150℃的工作溫度范圍,適�(yīng)惡劣�(huán)��
  5. 雪崩能量能力�(qiáng):即使在過載或短路情況下也能保持�(wěn)定運(yùn)行�
  這些特性使得FCB36N60NTM成為許多高壓、高效能�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

FCB36N60NTM廣泛�(yīng)用于各種高壓電力電子�(shè)備中�
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 工業(yè)電機(jī)能逆變�
  4. 不間斷電源(UPS�
  5. 電動(dòng)車輛牽引逆變�
  6. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
  由于其優(yōu)異的性能和可靠�,這款MOSFET特別適合需要高效率和高�(wěn)定性的�(chǎng)景�

替代型號(hào)

FFB36N60NTM
  STW14NM60K
  IRFP460

fcb36n60ntm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fcb36n60ntm資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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fcb36n60ntm參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SupreMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C36A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 18A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs112nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4785pF @ 100V
  • 功率 - 最�312W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-263(D2Pak�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FCB36N60NTM-NDFCB36N60NTMTR