F8H3N是一款高性能的MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)動以及開�(guān)電源等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功耗�
該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和可靠性的�(yán)格要求。通過�(yōu)化的芯片�(jié)�(gòu)和封裝技�(shù),F(xiàn)8H3N能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)�(shí)間:ton=12ns, toff=25ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
F8H3N具備出色的電氣特性和�(huán)境適�(yīng)能力�
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on))使其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的功��
2. 高速開�(guān)性能支持高頻操作,適合于開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了器件的抗靜電能力,提高了可靠��
4. 封裝形式為TO-220,便于散熱管�,同�(shí)簡化了PCB布局�(shè)�(jì)�
5. 耐熱性能�(yōu)秀,能夠在極端溫度條件下長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
F8H3N適用于多種電力電子場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān),用于提升轉(zhuǎn)換效率�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級元件,用于控制電�(jī)�(zhuǎn)速和方向�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān),實(shí)�(xiàn)快速充放電切換�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊,確保設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)��
F8H3P, IRF840, STP20NF06