F563200是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升電路效率并減少�(fā)�。此外,F(xiàn)563200支持大電流操�,并具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適合工�(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)用�
型號(hào):F563200
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:650V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω(典型值)
總功耗:140W
封裝形式:TO-220
工作溫度范圍�-55℃至+175�
F563200的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可�(dá)650V,適用于高壓�(huán)境下的電路設(shè)�(jì)�
2. 超低�(dǎo)通電阻(典型值為0.18Ω�,可降低�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能,柵極電荷小,有助于減少開關(guān)損耗�
4. �(nèi)置靜電防�(hù)功能,提升了器件在實(shí)際使用中的抗干擾能力�
5. 支持高達(dá)12A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需��
6. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)��
7. 封裝形式為TO-220,便于散熱和安裝,適合各種PCB布局�
F563200適用于多種電力電子領(lǐng)�,具體應(yīng)用場(chǎng)景如下:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于升降壓控制�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. LED照明�(qū)�(dòng)中的開關(guān)元件�
5. 各類保護(hù)電路,例如過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)�
6. 充電器及適配器中的功率開�(guān)�
7. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與管��
F563201, F563202, IRF540N