EVM2NSX80BE3 是一款專為高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)的增�(qiáng)型氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管模�。該器件�(jié)合了先�(jìn)� GaN 技�(shù)與優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),能夠在高頻開關(guān)條件下實(shí)�(xiàn)低損耗和高可靠性。其主要�(yīng)用于電源適配�、無線充電器、LED �(qū)�(dòng)器以� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
該模塊內(nèi)置柵極驅(qū)�(dòng)保護(hù)電路,有效提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和耐用�。同�(shí),其超小尺寸的設(shè)�(jì)使其非常適合�(duì)空間有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)��
額定電壓�650V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:100mΩ
柵源電壓(最大):�20V
�(jié)溫范圍:-40� � +150�
封裝類型:QFN-8x8
EVM2NSX80BE3 的主要特性包括:
1. 基于增強(qiáng)模式氮化鎵(eGaN)技�(shù),具備更高的開關(guān)頻率和更低的開關(guān)損��
2. �(nèi)置過流保�(hù)和熱�(guān)斷功能,增強(qiáng)了系�(tǒng)安全��
3. 封裝形式緊湊,引腳布局�(jīng)過優(yōu)化以減少寄生電感的影��
4. 支持高達(dá) 2MHz 的開�(guān)頻率,適合高� AC-DC � DC-DC �(yīng)��
5. 提供�(yè)界領(lǐng)先的效率表現(xiàn),能夠顯著降低能量損��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保友好��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 快速充電器� USB-PD 充電器設(shè)�(jì)�
2. 小型高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 智能家居�(shè)備中的電源管理單��
4. LED 照明�(qū)�(dòng)��
5. 無線充電�(fā)射端及接收端功率�(jí)控制�
6. 工業(yè)�(shè)備中的輔助電源解決方��
EVM2NSX80AE2
EVM2NSX65CE4
GAN041-650WSA