�(chǎn)品型�(hào) | EP4SGX360FH29C3N |
描述 | 集成電路FPGA 289 I/O 780HBGA |
分類(lèi) | 集成電路(IC),嵌入式-FPGA(�(xiàn)�(chǎng)可編程門(mén)陣列) |
制造商 | 英特� |
系列 | Stratix?IV GX |
打包 | 托盤(pán) |
零件狀�(tài) | 活� |
電壓-電源 | 0.87V?0.93V |
工作溫度 | 0°C?85°C(TJ) |
包裝/� | 780-BBGA,F(xiàn)CBGA |
供應(yīng)商設(shè)備包� | 780-HBGA(33x33) |
基本零件�(hào) | EP4SGX360 |
EP4SGX360FH29C3N
可編程邏輯類(lèi)� | �(xiàn)�(chǎng)可編程門(mén)陣列 |
符合歐盟RoHS | � |
狀�(tài) | �(zhuǎn)� |
最大時(shí)鐘頻� | 717.0兆赫 |
JESD-30代碼 | S-PBGA-B780 |
JESD-609代碼 | 1�(hào) |
總RAM� | 23105536 |
CLB�(shù)� | 14144.0 |
輸入�(shù)� | 289.0 |
邏輯單元�(shù) | 353600.0 |
輸出�(shù)� | 289.0 |
端子�(shù) | 780 |
最低工作溫� | 0� |
最高工作溫� | 85� |
組織 | 14144 CLBS |
峰值回流溫�(�) | 245 |
電源 | 0.9,1.2 / 3,1.5,2.5 |
資格狀�(tài) | 不合� |
座高 | 3.4毫米 |
子類(lèi)� | �(xiàn)�(chǎng)可編程門(mén)陣列 |
電源電壓�(biāo)�(chēng) | 0.9� |
最小供電電� | 0.87� |
最大電源電� | 0.93� |
安裝�(lèi)� | 表面貼裝 |
技�(shù) | CMOS |
溫度等級(jí) | 其他 |
終端完成 | �/銀/�(Sn / Ag / Cu) |
終端表格 | � |
端子間距 | 1.0毫米 |
終端位置 | 底部 |
�(shí)間@峰值回流溫度最大�(�) | 40 |
�(zhǎng)� | 33.0毫米 |
寬度 | 33.0毫米 |
包裝主體材料 | 塑料/�(huán)氧樹(shù)� |
包裝代碼 | BGA |
包裝等效代碼 | BGA780,28X28,40 |
包裝形狀 | 廣場(chǎng) |
包裝形式 | �(wǎng)格陣� |
制造商包裝�(shuō)� | 33 X 33 MM,無(wú)�,HBGA-780 |
�(wú)鉛狀�(tài)/RoHS狀�(tài) | �(wú)�/符合RoHS |
水分敏感性水�(MSL) | 3(168小時(shí)) |
Stratix IV GX和GT器件中多�(dá)48�(gè)基于CDR的全雙工收發(fā)�,分別支持高�(dá)8.5 Gbps�11.3 Gbps的數(shù)�(jù)速率�
具有嵌入式PCIe硬IP模塊的完整PCIe�(xié)議解決方�,這些模塊�(shí)�(xiàn)PHY-MAC層,�(shù)�(jù)鏈路層和事務(wù)處理層功��
可編程的�(fā)射機(jī)�(yù)加重和接收機(jī)均衡電路,可�(bǔ)償物理介�(zhì)中與頻率有關(guān)的損��
每�(gè)通道的典型物理介�(zhì)附件(PMA)功耗分別為3.125 Gbps�100 mW�6.375 Gbps�(shí)�135 mW�
每臺(tái)�(shè)�72,600�813,050等效LE�
7,370�33,294 Kb的增�(qiáng)型TriMatrix存儲(chǔ)�,由三種RAM塊大小組成,可實(shí)�(xiàn)真正的雙端口存儲(chǔ)器和FIFO緩沖區(qū)�
高速數(shù)字信�(hào)處理(DSP)模塊,最高可配置�9 x 9��12 x 12��18 x 18位和36 x 36位全精度乘法�,最高頻率為600 MHz�
每�(gè)�(shè)備最�16�(gè)全局�(shí)�(GCLK)�88�(gè)區(qū)域時(shí)�(RCLK)�132�(gè)外圍�(shí)�(PCLK)�
可編程電源技�(shù),可在最大程度降低功耗的同時(shí)最大化�(shè)備性能�
多達(dá)1,120�(gè)用戶(hù)I / O引腳布置�24�(gè)模塊化I / O bank�,這些模塊支持廣泛的單端和差分I / O�(biāo)�(zhǔn)�
支持多達(dá)24�(gè)模塊化I / O bank 上的高速外部存�(chǔ)器接口,包括DDR,DDR2,DDR3 SDRAM,RLDRAM II,QDR II和QDR II + SRAM
具有串行�/解串�(SERDES),動(dòng)�(tài)相位�(duì)�(zhǔn)(DPA)和soft-CDR電路的高速LVDS I / O支持,數(shù)�(jù)速率高達(dá)1.6 Gbps��
支持源同步總�(xiàn)�(biāo)�(zhǔn),包括SGMII,GbE,SPI-4 階段2(POS-PHY�(jí)�4),SFI-4.1,XSBI,UTOPIA IV,NPSI和CSIX-L1�
Stratix IV E器件的引腳排�,旨在允許將�(shè)�(jì)從Stratix III 遷移到Stratix IV E,而對(duì)PCB的影響最��
�(zhuān)用電路支持流行的串行�(xié)議的物理層功�,例如PCI Express(PCIe)(PIPE)Gen1和Gen2,Gbps以太�(wǎng)(GbE),串行RapidIO,SONET / SDH,XAUI / HiGig�(OIF)CEI-6G,SD / HD / 3G-SDI,光纖通道,SFI-5和Interlaken�
EP4SGX360FH29C3N符號(hào)
EP4SGX360FH29C3N腳印