�(chǎn)品型� | EP1S10F484I6N |
描述 | 集成電路FPGA 335 I/O 484FBGA |
分類 | 集成電路(IC),嵌入式-FPGA(�(xiàn)場可編程門陣列) |
制造商 | 英特� |
系列 | Stratix? |
打包 | 托盤 |
零件狀�(tài) | 過時� |
電壓-電源 | 1.425V?1.575V |
工作溫度 | -40°C?100°C(TJ) |
包裝/� | 484-BBGA,F(xiàn)CBGA |
供應(yīng)商設(shè)備包� | 484-FBGA(23x23) |
基本零件� | EP1S10 |
EP1S10F484I6N
可編程邏輯類� | �(xiàn)場可編程門陣列 |
符合REACH | � |
符合歐盟RoHS | � |
狀�(tài) | �(zhuǎn)� |
JESD-30代碼 | S-PBGA-B484 |
JESD-609代碼 | 1� |
總RAM� | 920448 |
輸入�(shù)� | 426.0 |
邏輯單元�(shù) | 10570.0 |
輸出�(shù)� | 426.0 |
端子�(shù) | 484 |
峰值回流溫�(�) | 260 |
電源 | 1.5,1.5 / 3.3 |
資格狀�(tài) | 不合� |
子類� | �(xiàn)場可編程門陣列 |
電源電壓�(biāo)� | 1.5� |
最小供電電� | 1.425� |
最大電源電� | 1.575� |
安裝類型 | 表面貼裝 |
技�(shù) | CMOS |
終端完成 | 錫銀� |
終端表格 | � |
端子間距 | 1.0毫米 |
終端位置 | 底部 |
時間@峰值回流溫度最大�(�) | 40 |
包裝主體材料 | 塑料/�(huán)氧樹� |
包裝代碼 | BGA |
包裝等效代碼 | BGA484,22X22,40 |
包裝形狀 | 廣場 |
包裝形式 | �(wǎng)格陣� |
制造商包裝說明 | 23 X 23 MM�1 MM間距,無�,F(xiàn)BGA-484 |
無鉛狀�(tài) | 無鉛 |
水分敏感性水�(MSL) | 3(168小時) |
10,570�79,040 LE
多達(dá)7,427,520個RAM�(928,440字節(jié))可用,而不減少邏輯資源
TriMatrixTM存儲�,由三種RAM塊大小組成,以實�(xiàn)真正的雙端口存儲器和先�(jìn)先出(FIFO)緩沖區(qū)
高速DSP模塊提供乘法�(快于300 MHz),乘法累加功能和有限脈沖響應(yīng)(FIR)濾波器的專用實現(xiàn)
多達(dá)16個全局時鐘,每個設(shè)備區(qū)域具�22個時鐘資�
每個設(shè)備多�(dá)12個PLL(四個增�(qiáng)型PLL和八個快速PLL)可提供擴(kuò)�,可編程帶寬,時鐘切換,實時PLL重配置以及高級乘法和相移
支持多種單端和差分I / O�(biāo)�(zhǔn)
在多�(dá)116個通道上支持高速差分I / O,其中多�(dá)80個通道針對840兆比�(Mbps)�(jìn)行了�(yōu)�
支持高速網(wǎng)�(luò)和通信總線�(biāo)�(zhǔn),包括RapidIO,UTOPIA IV,CSIX,HyperTransportTM技�(shù)�10G以太�(wǎng)XSBI,SPI-4 2�(POS-PHY 4�)和SFI-4
對LVDS的差分片上匹配支�
支持高速外部存儲器,包括零總線周轉(zhuǎn)(ZBT)SRAM,四�(shù)�(jù)速率(QDR和QDRII)SRAM,雙�(shù)�(jù)速率(DDR)SDRAM,DDR快速周期RAM(FCRAM)和單�(shù)�(jù)速率(SDR) )SDRAM
�-6和更高速度級別的設(shè)備中支持66-MHz PCI(64�32�),在-8和更快速度級別的設(shè)備中支持33-MHz PCI(64�32�)
�-5速度等級的設(shè)備中支持133 MHz PCI-X 1.0
�-6和更高速度等級的設(shè)備中支持100 MHz PCI-X 1.0
�-7速級�(shè)備中支持66-MHz PCI-X 1.0
支持AlteraMegaCore?功能和Altera Megafunction合作伙伴計劃(AMPP SM)宏功能中的多個知識產(chǎn)�(quán)宏功�
支持�(yuǎn)程配置更�