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時(shí)間：2025/5/21 9:43:19
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EMZ1T2R 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效率功率轉(zhuǎn)換芯片，廣泛應(yīng)用于電源適配器、充電器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。該芯片通過(guò)集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，提供了一種簡(jiǎn)單且高效的解決方案，能夠顯著提升開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的性能和功率密度。
這款芯片采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，具有高可靠性，并支持高頻工作模式以減少磁性元件的體積，從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。
類(lèi)型：功率轉(zhuǎn)換芯片
材料：氮化鎵（GaN）
最大輸入電壓：30V
最小輸入電壓：4.5V
輸出電流：2A
封裝形式：QFN8
工作溫度范圍：-40℃ 至 +125℃
開(kāi)關(guān)頻率：高達(dá) 5MHz
導(dǎo)通電阻：100mΩ
EMZ1T2R 提供了卓越的性能表現(xiàn)，其主要特性包括：
1. 高效的 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。
2. 內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
3. 支持超寬輸入電壓范圍，適應(yīng)多種應(yīng)用場(chǎng)景。
4. 提供全面的保護(hù)功能，例如過(guò)溫保護(hù)（OTP）、過(guò)流保護(hù)（OCP）和短路保護(hù)（SCP）。
5. 極低的寄生電感設(shè)計(jì)，確保高頻工作的穩(wěn)定性。
6. 小尺寸 QFN8 封裝，適合高密度布局需求。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保友好。
EMZ1T2R 主要用于以下領(lǐng)域：
1. 快速充電器和 USB-PD 適配器。
2. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的高效電源模塊。
3. 工業(yè)設(shè)備中的小型化 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
4. 筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理單元。
5. 高頻 AC-DC 和 DC-DC 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。
6. LED 驅(qū)動(dòng)器和小功率逆變器。
EMZ1T3R, EZG2T2R
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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