EKB3A681K06FK5 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、低損耗的開關應用設計。該器件采用先進的制造工�,在導通電阻和開關性能之間實現了良好的平衡,適用于工業(yè)、汽車以及消費電子領域中的各種電源管理場景�
該芯片具有優(yōu)異的熱特性和電氣特�,能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提高整體效率。其封裝形式經過�(yōu)�,便于散熱和集成到緊湊型設計��
型號:EKB3A681K06FK5
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源電壓)�60V
Rds(on)(導通電�,典型值)�4.2mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):95A
Qg(柵極電荷)�37nC
Vgs(th)(柵極開啟電壓)�2.6V~4.0V
fT(特征頻率)�1.8MHz
封裝:TO-247-3L
EKB3A681K06FK5 的主要特點是具備非常低的導通電� Rds(on),這使得它在高電流應用中表現出色,同時大幅降低了傳導損�。此�,其較低的柵極電� Qg 確保了快速的開關速度,從而減少了開關損耗�
這款 MOSFET 還支持高頻操�,并提供可靠的短路保護能�。其出色的熱阻性能可以有效防止過熱現象的發(fā)生,延長器件壽命。另�,由于采用了 TO-247-3L 封裝,因此安裝簡單且散熱效果良好�
總體而言,EKB3A681K06FK5 是一種高效能、高可靠性的功率半導體元�,非常適合要求嚴苛的現代電力電子應用�
EKB3A681K06FK5 廣泛應用于需要高效功率轉換和控制的場�,包括但不限于以下領域:
- 開關模式電源 (SMPS)
- 直流-直流轉換�
- 電機驅動與控�
- 太陽能逆變�
- 電動車牽引逆變�
- 工業(yè)自動化設�
- 通信電源
憑借其卓越的性能指標,此器件成為許多大功�、高頻率系統(tǒng)的理想選��
EKA3A681K06FK5
EKB3A680K06FK5