EGA10201V05A0 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的高� MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等高電壓應(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)� U-MOS IX 技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合需要快速開(kāi)�(guān)和高電流處理能力的電路設(shè)�(jì)�
EGA10201V05A0 的封裝形式為 TO-220 Full-Pac,便于散熱并支持大功率應(yīng)�。其主要功能是通過(guò)控制柵極電壓�(lái)�(shí)�(xiàn)�(duì)漏極和源極之間電流的�(kāi)�(guān)操作,從而在各類(lèi)電子�(shè)備中�(shí)�(xiàn)高效的電力轉(zhuǎn)換與管理�
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電� (Vds)�600 V
最大柵源電� (Vgs):�20 V
最大漏極電� (Id)�1.3 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�900 Ω(典型�,Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷 (Qg)�8 nC(典型值)
輸入電容 (Ciss)�1450 pF(典型值)
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
1. 高耐壓能力:EGA10201V05A0 的最大漏源電壓高�(dá) 600V,能夠適�(yīng)各種高電壓環(huán)境下的應(yīng)用需��
2. 低導(dǎo)通電阻:在柵極驅(qū)�(dòng)電壓� 10V �(shí),其典型�(dǎo)通電阻僅� 900Ω,顯著降低了�(dǎo)通損耗,提高了整體效��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:由于采用先�(jìn)� U-MOS IX 工藝技�(shù),該器件具備較低的柵極電荷和輸入電容,從而實(shí)�(xiàn)了更快的�(kāi)�(guān)速度,有助于減少�(kāi)�(guān)損��
4. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試和�(yàn)證,EGA10201V05A0 在惡劣的工作條件下仍能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
5. 封裝�(yōu)�(shì):TO-220 Full-Pac 封裝不僅提供了良好的散熱性能,還方便用戶(hù)�(jìn)行安裝和集成,同�(shí)支持較高的功率密��
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS):EGA10201V05A0 可用于構(gòu)建高效的小型化開(kāi)�(guān)電源,適用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備等�(lǐng)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):這款 MOSFET 可以作為電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān),支持直流無(wú)刷電�(jī)和其他類(lèi)型的電機(jī)�(yùn)行�
3. 逆變器:在太�(yáng)能逆變器和 UPS 系統(tǒng)�,EGA10201V05A0 能夠?qū)崿F(xiàn)高效� AC/DC � DC/AC �(zhuǎn)換�
4. LED �(qū)�(dòng)器:憑借其高效率和低損耗特�,該器件非常適合用于 LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)方案�
5. 其他高電壓應(yīng)用:如汽�(chē)電子、家電產(chǎn)品中的功率控制模塊等�
1. IRF840A:這是一款來(lái)自英飛凌� N 溝道 MOSFET,具有類(lèi)似的電壓和電流規(guī)�,可以作� EGA10201V05A0 的直接替代品�
2. STP12NM60:意法半�(dǎo)體生�(chǎn)的一款高� MOSFET,具� 600V 的漏源電壓和 1.3A 的連續(xù)漏極電流能力,也可用于相似的�(yīng)用場(chǎng)��
3. FQA13N60L:安森美推出的高性能 MOSFET,擁有更低的�(dǎo)通電阻和更優(yōu)的開(kāi)�(guān)性能,適用于�(duì)效率要求更高的場(chǎng)��
�(qǐng)注意,在選擇替代型號(hào)�(shí),需確保其電氣特性和封裝形式完全�(mǎn)足實(shí)際電路設(shè)�(jì)的需求,并�(jìn)行充分的�(yàn)證測(cè)試�